Трушин Юрий Владимирович

Трушин Юрий Владимирович

Трушин Юрий Владимирович

Ученая степень:
доктор физико-математических наук
Ученое звание:
профессор
Занимаемые должности:
профессор - Кафедра "Физика и технология наноструктур"

Трушин Юрий Владимирович родился 14 августа 1945 года в Ленинграде, российский физик, Заслуженный деятель науки, профессор, доктор физ.-мат. наук, академик Российской академии естественных наук. Является Учёным секретарем Санкт-Петербургского национального исследовательского академического университета РАН Академический университета также профессором в Академическом и Политехническом университетах.

Трушин Ю.В также занимает должности главных научных сотрудников в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН и в Академическом университете.

Область научных интересов: теория и компьютерное моделирование физических процессов, кинетики эволюции структурных дефектов и радиационных воздействий в многокомпонентных кристаллических материалах (металлы, полупроводники, высокотемпературные материалы).

Имеет более 1500 цитирований своих работ, опубликованных в реферируемых журналах. Индекс Хирша 11[1].

Член редколлегии Журнала технической физики

Биография 

  • 1969 — закончил физический факультет Ленинградского Государственного университета (кафедра квантовой механики) по специальности теоретическая физика.
  • В 1969 году начал свою научную карьеру в Центральном научно-исследовательском институте (ЦНИИ) им.акад. А. Н. Крылова.
  • 1975 — защитил кандидатскую диссертацию в Ленинградском Политехническом институте по специальности 01.04.07-физика твёрдого тела, тема: «Теория радиационных каскадов в твёрдом теле».
  • 1989 — защитил докторскую диссертацию в Московском институте электронного машиностроения по специальности 01.04.07-физика твёрдого тела, тема: «Теория радиационных процессов в твёрдых растворах замещения на разных стадиях распада».
  • С 1991 года и по сей день профессор кафедры нанотехнологий Санкт-Петербургского Политехнического университета Петра Великого.
  • С 1974 года и по сей день работает в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН на должности главного научного сотрудника (в секторе теоретических основ микроэлектроники).
  • В настоящее время также:
    • профессор кафедры конденсированного состояния Академического университета;
    • главный научный сотрудник лаборатории нанобиотехнологий Академического университета;
  • С 2004 года является учёным секретарем Санкт-Петербургского национального исследовательского академического университета РАН (Академический университет)
  • 1999 год — избран членом-корреспондентом РАЕН
  • 2004 год — избран академиком РАЕН

Наиболее значимые публикации 

Автор более 250 публикаций в научных изданиях и материалах конференций, включая брошюры и 8 книг.

Книги и брошюры:

  1. Ю. В. Трушин. Проблемы современной энергетики. Л., Знание, 1982.
  2. А. Н. Орлов, Ю. В. Трушин. Энергии точечных дефектов в металлах. М., Энергоатомиздат, 1983.
  3. В. В. Кирсанов, А. Л. Суворов, Ю. В. Трушин. Процессы радиационного дефектообразования в металлах. Энергоатомиздат, 1985.
  4. С. Н. Романов, Ю. В. Трушин, В. И. Штанько. Моделирование на ЭВМ радиационных процессов в твёрдых телах. (Методические указания для студентов). Л., изд. Лен. Технологического института, 1988.
  5. Yu.V.Trushin. Theory of Radiation Processes in Metal Solid Solutions. New York, Nova Science Publishers, 1996, USA.
  6. Ю. В. Трушин. Физические основы радиационного материаловедения (Учебное пособие). СПб, изд. СПб ГТУ, 1996.
  7. Ю. В. Трушин. Физическое материаловедение (Учебник для вуз’ов). СПб, изд. «Наука», 2000.
  8. Ю. В. Трушин. Радиационные процессы в многокомпонентных материалах (теория и компьютерное моделирование). СПб, изд. ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 2002.
  9. Ю. В. Трушин. Очерки истории физики первой половины ХХ века. Часть I. Становление квантовой механики — основы современной физики. СПб, изд. Академического университета, серия «Лекции в Академическом университете», том 2, 2012.
  10. Ю. В. Трушин. Физические основы материаловедения. СПб, изд. Академического университета, серия «Лекции в Академическом университете», том 3, 2015.

Научные статьи

  1. Ю.В.Трушин, Кинетика образования каскадов в кристаллах. ФТТ, 1974, Т.16, С.3435-3436. Перевода нет, тогда вроде бы не переводились, ФТТ – Физика твёрдого тела
  2. A.N.Orlov, Yu.V.Trushin, Theory of the Spatial Distribution of Defects in Radiation Cascades in Crystals. Radiation Effects, 1981, V.56, P.193 – 204.
  3. А.М.Паршин, Ю.В.Трушин, Свойство пересыщенных твёрдых растворов усиливать рекомбинацию разноимённых дефектов. Письма в ЖТФ, 1983, Т.9, С.561 – 564. Есть перевод, пришлю из СПб
  4. А.Н.Орлов, Ю.В.Трушин. Моделирование на ЭВМ взаимодействия быстрых частиц с кристаллами. Природа, 1983, N 10, С.34 – 43.
  5. А.Н.Орлов, А.М.Паршин, Ю.В.Трушин, Физические аспекты ослабления радиационного распухания конструкционных материалов. ЖТФ, 1983, Т.53, С.2367 – 2372
  6. С.К.Джапаридзе, Ю.В.Трушин, Цепочки замещающих столкновений в двухатомных кристаллах. ЖТФ, 1985, Т.55, С.1824 – 1826. Есть перевод, пришлю из СПб
  7. Ю.В.Трушин, В.Помпе, Распределение точечных дефектов в поле напряжений около выделений второй фазы. Письма в ЖТФ, 1985, Т.11, С.393-397. Есть перевод, пришлю из СПб
  8. Н.П.Калашников, Ю.В.Трушин, Энергетика – излучения - кристаллы. Природа, N 8, 1985, с. 24 – 34.
  9. A.N. Orlov, G.G.Samsonidze, Yu.V.Trushin, Theory of the Precipitate Growth under Irradiation. Radiation Effects, 1986, V.97, P.45 – 66.
  10. В.В.Кирсанов, Ю.В.Трушин. Облучение напряженных металлов. Природа, N 11, 1986, С. 69 – 74.
  11. Ю.В.Трушин, Распределение собственных точечных дефектов около сферических выделений второй фазы под облучением. ЖТФ, 1987, Т. 57, С. 226 – 231. Есть перевод, пришлю из СПб.
  12. Yu.N.Eldyshev, Yu.V.Trushin, Small Interstitial Clusters as Recombination Centers in Decomposing Solid Solutions during Irradiation. Proc. Int.Conf. on Ion Implantation and Ion Beam Equipment, Bulgaria, Elenite, Sept.1990, World Scientific, 1991, P. 168 – 174.
  13. Yu.V.Trushin. Point Defect Flows and Radiation Swelling in a Biphase Material. J.Nucl.Materials, 1991, V.185, P.268 – 272.
  14. Yu.V.Trushin, Theory of Radiation Processes in Decomposed Solid Solutions. J.Nucl.Materials, 1991, V.185, P.279 – 285.
  15. Ю.В.Трушин. Влияние предвыделений вторичной фазы на радиационное распухание распадающихся твердых растворов. ЖТФ, 1992, т.62, с.1 – 22. Есть перевод, пришлю из СПб
  16. Yu.V.Trushin., Theory of Radiation Processes in Decomposed Solid Solutions. J.Nucl.Materials, 1991, V.185, P.279.
  17. D.E.Dolin,A.L.Suvorov, Yu.V.Trushin. A New Method of Stady the Interaction of Irradiation induced Point Defects with Structural Sinks in Metals. Materials Science Forum, 1992, V.97 – 99, P.217 – 222.
  18. D.V.Kulikov, R.A.Suris, Yu.V.Trushin, A Model of Interaction of Oxygen Subsystem Defects with Intercrystallite Boundaries in Polycrystallin YBaCuO Film under gamma-Irradiation. Semiconductor Science and Technology, 1995, V.8, P.303 – 310.
  19. B.J.Ber, V,D.Kharlamov, Yu.V.Trushin, E,E,Zhurkin, Computer Simulation of the Poliatomic Multilayered Materials Sputtering with Considering of the Spatial Overlaping of the Collision Cascades. J.Nucl.Materials, 1996, V.233/237, P.991 – 995.
  20. F.M.Sauerzopf, H.W.Weber, Yu.V.Trushin et.el. Small Defects in YBCO Single Crystals:TC after Neutron Irradiation and Annealing. Physica C, 1997, V.282/287, P.1333 – 1334.
  21. V.S.Kharlamov, M.Posselt, Yu.V.Trushin et.el. Study of Ion Beam Assisted Deposition of Al/AlN Multilayers by Comparison of Computer Simulation and Experiment. J.Appl.Phys. D, 1998, V.31, P.2241 – 2244.
  22. V.S.Kharlamov, J.Pezoldt, Yu.V.Trushin, R.A.Yankov et.el. A Computional Model for the Formation of (SiC)1-x (AlN)x Structures by Hot, High-Dose N+ and Al+ Co-Implants in 6H-SiC. Science Forum, 1998, V.264/268, P.757 – 760.
  23. V.S.Kharlamov, D.V.Kulikov, Yu.V.Trushin. Computer simulation of transition from h-BN to c-BN during ion beam assisted deposition. Vacuum, 1999, V.52, P.407 – 410.
  24. Rybin P.V., J.Pezoldt, Yu.V.Trushin, R.A.Yankov et.el Modelling high-temperature co-implantation of N+ and Al+ ions in silicon carbide: the effect of stress on the implant and damage distributions. Nucl.Instrum. Meth.(B), 1999, V.147, P.279 – 285.
  25. J.Pezoldt, R.A.Yankov, Yu.V.Trushin et.el. The Influence of the Implantation Sequence on the (SiC)(AlN) Formation. Nucl.Instr.Meth. B, 2000, V.166/167, P.758 – 763.
  26. V.V.Rybin, Yu.V.Trushin, F.Y.Fedorov, V.S.Kharlamov. Sperical Features of the Effect of Oversized Impurities on the Cascade Development in α-Iron Alloys containing Special Carbides. Tech.Phys.Lett., 2000, V.26, P.876-878
  27. D.V.Kulikov, F.M.Sauerzopf, Yu.V.Trushin, H.W.Weber. Changes in the transition temperature after irradiation and annealing in single crystalline YBaCuO. Physica C, 2001, V.355, P.245 – 250.
  28. R.Bittner, A.R.Sternberg,, Yu.V.Trushin, H.Weber et.el. Dielectric Properties of Reactor irradiated Ferroelectric thin Films. Integrated Ferroelectrics, 2001, v.37, p.275 – 280.
  29. V.S.Kharlamov, J.Pezoldt, Yu.V.Trushin et.el. The Estimation of Sputtering Yields for SiC and Si. Nucl.Instr,Meth, B, 2002, V.196, P.39 – 50.